大模型之家讯 10月18日，据首尔经济日报报道，三星电子将采用台积电工艺生产英伟达下一代定制高带宽内存（HBM）的基底裸片（base die），调整HBM一站式全包制造模式。业内消息人士18日称，英伟达已向三星电子、SK海力士和美光三家NVHBM供应商提出要求：基底裸片用台积电3纳米工艺制造，核心裸片统一采用代号1c的第六代DRAM工艺。NVHBM基于第七代HBM标准HBM4E架构开发，是英伟达8月发布的定制版高带宽内存。英伟达称此举是为实现稳定一致的性能并减轻逐家验证工作量，三星设备解决方案事业部评估后决定接受。三星标准HBM仍保留全包策略，其HBM4与HBM4E基底裸片继续采用自研4纳米工艺，面向AMD等客户的定制HBM也沿用全包方案。
