大模型之家讯 7月27日，三星半导体通过官方人物访谈正式确认，计划在下一代HBM5高带宽内存中采用2nm制程基础裸片，以大幅提升逻辑性能和能效。HBM5运行速率预计较HBM4E提升50%以上，基础裸片将支持更高密度硅通孔（TSV）。此前三星HBM4及HBM4E均采用4nm基础裸片，其中HBM4E通过优化器件架构已实现14+Gbps高速运行。此举表明三星正通过制程迭代巩固其在AI内存市场的技术领先地位。
大模型之家讯 7月27日，三星半导体通过官方人物访谈正式确认，计划在下一代HBM5高带宽内存中采用2nm制程基础裸片，以大幅提升逻辑性能和能效。HBM5运行速率预计较HBM4E提升50%以上，基础裸片将支持更高密度硅通孔（TSV）。此前三星HBM4及HBM4E均采用4nm基础裸片，其中HBM4E通过优化器件架构已实现14+Gbps高速运行。此举表明三星正通过制程迭代巩固其在AI内存市场的技术领先地位。